爆炸就是是IGBT爆炸 ，俗稱模塊炸。因為某些原因，模塊的損耗十分巨大，熱量散不出去，導(dǎo)致內(nèi)部溫度極高，產(chǎn)生氣體，沖破殼體，這就是所謂的IGBT爆炸。
2.人為因素
（1）進線接在出線的端子上（2）變頻器接錯電源（3）沒按要求接負載
3.常見原因：（1）過電流 ：一種是負載短路，另一種是控制電路處邏輯受干擾，導(dǎo)致上下橋臂元件直通。
（2）絕緣的損壞
（3）過電壓 ：通常是線路雜散電感在極高的di/dt作用下產(chǎn)生的尖峰電壓而造成，解決的辦法就是設(shè)計高性能吸收回路，降低線路雜散電感。
（4）過熱 ：IGBT不能完全導(dǎo)通，在有電流的情況下元件損耗增大，溫度增加導(dǎo)致?lián)p壞。
（5）通訊誤碼率
a.通訊一段時間后，突然的錯誤信息導(dǎo)致IGBT誤導(dǎo)通使IGBT爆炸
b.通訊板FPGA程序運行不穩(wěn)定導(dǎo)致IGBT誤導(dǎo)通使IGBT爆炸
4．其他原因
（1）電路中過流檢測電路反應(yīng)時間跟不上。
（2）IGBT短路保護是通過檢測飽和壓降，而留給執(zhí)行機構(gòu)的時間一般是10us（8倍過流）。在上電的時候容易燒預(yù)充電電阻和制動單元里的IGBT。
（3）工藝問題：銅排校著勁、螺絲擰不緊等。
（4）短時大電流：原因也有很多，比如死區(qū)沒設(shè)置好、主電路過壓、吸收電路未做好。
（5）驅(qū)動電源也是個應(yīng)該特別注意的問題，該隔離加隔離、該濾波加濾波。
（6）電機沖擊反饋電壓過大導(dǎo)致IGBT爆炸。但對于充電時爆炸的情況發(fā)生的概率不是很大。
（7）電機啟動時，輸入測電壓瞬間跌落，電容放電。輸入測電壓恢復(fù)后電容充電時的浪涌電流過大致使
永磁同步電機變頻器IGBT爆炸
